Process sequence for formation of patterned hard mask film (rfp) without need for photoresist or dry etch

WO2009105347 Art A2 27. August 2009

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009105347
Aktenzeichen: EP09711611
Anmeldetag: 5. Februar 2009
Veröffentlichung: 27. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027G03F7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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