Method of transferring a thin layer onto a support substrate

WO2009106177 Art A1 3. September 2009

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Commissariat A L'Energie Atomique C.E.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009106177
Aktenzeichen: EP08872796
Anmeldetag: 5. Dezember 2008
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Commissariat A L'Energie Atomique C.E.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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