Semiconductor growth system which includes a boron carbide reactor component

WO2009106942 Art A1 3. September 2009

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009106942
Aktenzeichen: EP09716050
Anmeldetag: 5. Januar 2009
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44C30B25/12H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von