Semiconductor device

WO2009107309 Art A1 3. September 2009

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009107309
Aktenzeichen: EP08872902
Anmeldetag: 24. Dezember 2008
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H03K19/173

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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