Nonvolatile storage gate and its operating method, and logic circuit incorporating nonvolatile storage gate and its operating method

WO2009107408 Art A1 3. September 2009

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009107408
Aktenzeichen: EP09715614
Anmeldetag: 8. Januar 2009
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H03K19/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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