Ferroelectric memory device

WO2009107409 Art A1 3. September 2009

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009107409
Aktenzeichen: EP09714307
Anmeldetag: 8. Januar 2009
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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