Photofield-effect transistor and method for manufacturing the same

WO2009107568 Art A1 3. September 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009107568
Aktenzeichen: EP09714512
Anmeldetag: 17. Februar 2009
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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