Method for producing impurity-doped metal oxide by using microwave
WO2009107681
Art A1
3. September 2009
Anmelder: Kyoto University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009107681
- Aktenzeichen
- EP09714096
- Anmeldetag
- 25. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 3. September 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B13/14B01J19/12B01J21/06B01J35/02C01G23/047C01G25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kyoto University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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Vertreten von
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