Plasma etching apparatus and plasma etching method

WO2009107718 Art A1 3. September 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009107718
Aktenzeichen: EP09715620
Anmeldetag: 26. Februar 2009
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von