A cmos device comprising an nmos transistor with recessed drain and source areas and a pmos transistor having a silicon/germanium material in the drain and source areas
WO2009108365
Art A1
3. September 2009
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009108365
- Aktenzeichen
- EP09714706
- Anmeldetag
- 27. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 3. September 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/84H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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