Method of forming an embedded silicon carbon epitaxial layer

WO2009108781 Art A2 3. September 2009

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009108781
Aktenzeichen: EP09714513
Anmeldetag: 26. Februar 2009
Veröffentlichung: 3. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/33

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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