Rotating magnet sputtering apparatus

WO2009110404 Art A1 11. September 2009

Anmelder: National University Corporation Tohoku University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009110404
Aktenzeichen: EP09717835
Anmeldetag: 2. März 2009
Veröffentlichung: 11. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/35C23C14/34H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Tohoku University
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von