Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterbasierten Schaltung und Halbleiterbasierte Schaltung mit Dreidimensionaler Schaltungstopologie

WO2009112272 Art A1 17. September 2009

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009112272
Aktenzeichen
EP09718890
Anmeldetag
10. März 2009
Veröffentlichung
17. September 2009
Rechtsraum
WO
IPC
H01L25/065H01L23/485H01L21/98
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

10.117 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen