Graphene or graphite thin film, manufacturing method thereof, thin film structure and electronic device
WO2009113472
Art A1
17. September 2009
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009113472
- Aktenzeichen
- EP09720169
- Anmeldetag
- 9. März 2009
- Veröffentlichung
- 17. September 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C01B31/04C23C16/02C23C16/26C23C16/42C30B29/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
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