Method for producing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

WO2009113497 Art A1 17. September 2009

Anmelder: Showa Denko K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009113497
Aktenzeichen: EP09719059
Anmeldetag: 9. März 2009
Veröffentlichung: 17. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/06H01L21/203H01L33/00

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: Showa Denko K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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