Physical vapor deposition method with a source of isotropic ion velocity distribution at the wafer surface

WO2009114184 Art A2 17. September 2009

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009114184
Aktenzeichen: EP09721137
Anmeldetag: 12. März 2009
Veröffentlichung: 17. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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