Method for producing rb-igbt devices

WO2009115630 Art A1 24. September 2009

Anmelder: Consejo Superior De Investigaciones Científicas 🇪🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009115630
Aktenzeichen: EP09722072
Anmeldetag: 25. Februar 2009
Veröffentlichung: 24. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/32H03K17/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Consejo Superior De Investigaciones Científicas
Land: 🇪🇸 Spanien

🇪🇸 Consejo Superior de Investigaciones Científicas

Größte staatliche Forschungseinrichtung Spaniens mit Sitz in Madrid, tätig in nahezu allen Wissenschaftsbereichen von Naturwissenschaften bis Geisteswissenschaften. Die Institution (CSIC) betreibt zahlreiche Forschungszentren im ganzen Land.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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