Method for manufacturing semiconductor device

WO2009116158 Art A1 24. September 2009

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009116158
Aktenzeichen: EP08722576
Anmeldetag: 21. März 2008
Veröffentlichung: 24. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/56B29C43/18B29C43/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

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