Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket

WO2009117181 Art A1 24. September 2009

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009117181
Aktenzeichen: EP09721262
Anmeldetag: 4. Februar 2009
Veröffentlichung: 24. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/34H01L21/3065H01L21/265H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von