Memory structure having volatile and non-volatile memory portions

WO2009117222 Art A1 24. September 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009117222
Aktenzeichen: EP09721808
Anmeldetag: 25. Februar 2009
Veröffentlichung: 24. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C14/00H01L21/336H01L21/8239H01L21/8242H01L21/8246H01L27/105H01L27/108H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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