Systems and devices including multi-gate transistors and methods of using, making, and operating the same

WO2009117295 Art A1 24. September 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009117295
Aktenzeichen: EP09721210
Anmeldetag: 11. März 2009
Veröffentlichung: 24. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/84H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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