Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer

WO2009117438 Art A2 24. September 2009

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009117438
Aktenzeichen: EP09722540
Anmeldetag: 17. März 2009
Veröffentlichung: 24. September 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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