Integrated 3d high density and high quality inductive element

WO2009118694 Art A1 1. Oktober 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009118694
Aktenzeichen: EP09725313
Anmeldetag: 25. März 2009
Veröffentlichung: 1. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01F17/00H01L25/065H01L27/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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