Method for thin film formation

WO2009118901 Art A1 1. Oktober 2009

Anmelder: Yamoto, Hisayoshi, Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009118901
Aktenzeichen: EP08739262
Anmeldetag: 28. März 2008
Veröffentlichung: 1. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Yamoto, Hisayoshi
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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