Semiconductor substrate, semiconductor substrate manufacturing method and semiconductor device

WO2009119102 Art A1 1. Oktober 2009

Anmelder: The University of Tokyo, Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009119102
Aktenzeichen: EP09724886
Anmeldetag: 26. März 2009
Veröffentlichung: 1. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/316H01L21/336H01L21/822H01L27/04H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The University of Tokyo
Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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