Semiconductor substrate, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

WO2009119103 Art A1 1. Oktober 2009

Anmelder: The University of Tokyo, Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009119103
Aktenzeichen: EP09725066
Anmeldetag: 26. März 2009
Veröffentlichung: 1. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/20H01L21/316H01L21/336H01L21/338H01L29/778H01L29/786H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The University of Tokyo
Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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