Resist underlayer film, composition for resist underlayer film formation, and method for resist underlayer film formation
WO2009119201
Art A1
1. Oktober 2009
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009119201
- Aktenzeichen
- EP09725712
- Anmeldetag
- 19. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C08G8/20H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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