Sram cell and sram device

WO2009119666 Art A1 1. Oktober 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009119666
Aktenzeichen: EP09725032
Anmeldetag: 25. März 2009
Veröffentlichung: 1. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8244H01L21/8234H01L27/08H01L27/088H01L27/11H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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