Thin film interconnect for electronic component, and sputtering target material for formation of thin film interconnect

WO2009119804 Art A1 1. Oktober 2009

Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009119804
Aktenzeichen: EP09723953
Anmeldetag: 27. März 2009
Veröffentlichung: 1. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C22C27/04C23C14/34G02F1/1343G09F9/30H01B1/02H01L21/285H01L21/3205H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Metals, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Proterial

Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.

1.209 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von