Oxide semiconductor thin film and fabrication method thereof
WO2009119968
Art A1
1. Oktober 2009
Anmelder: Industry-academic Cooperation Foundation, Yonsei University 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009119968
- Aktenzeichen
- EP08873619
- Anmeldetag
- 31. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/208H01L21/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Industry-academic Cooperation Foundation, Yonsei University
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.
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