Method of making bipolar transistor

WO2009122346 Art A1 8. Oktober 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009122346
Aktenzeichen: EP09728064
Anmeldetag: 30. März 2009
Veröffentlichung: 8. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L29/732H01L29/737H01L21/8249H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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