Ferroelectric memory and its manufacturing method, and ferroelectric capacitor manufacturing method

WO2009122497 Art A1 8. Oktober 2009

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009122497
Aktenzeichen: EP08739449
Anmeldetag: 31. März 2008
Veröffentlichung: 8. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Semiconductor Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu Semiconductor

Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.

447 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von