Manufacturing method of semiconductor device, method for adjusting ion beam, and ion implantation apparatus

WO2009122555 Art A1 8. Oktober 2009

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009122555
Aktenzeichen: EP08739551
Anmeldetag: 31. März 2008
Veröffentlichung: 8. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Semiconductor Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu Semiconductor

Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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