Method for fabricating thin film transistor and thin film transistor fabricated by the method

WO2009122823 Art A1 8. Oktober 2009

Anmelder: Brother Kogyo Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009122823
Aktenzeichen: EP09727719
Anmeldetag: 25. Februar 2009
Veröffentlichung: 8. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Brother Kogyo Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Brother

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Nagoya, das Drucker, Nähmaschinen, Faxgeräte und Bürotechnik für private und geschäftliche Anwender entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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