Method for depositing high stress thin film and method for fabricating semiconductor integrated circuit device

WO2009123049 Art A1 8. Oktober 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009123049
Aktenzeichen: EP09726768
Anmeldetag: 27. März 2009
Veröffentlichung: 8. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318C23C16/34H01L21/336H01L21/768H01L23/522H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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