Method for manufacturing a mos semiconductor memory device, and plasma cvd device

WO2009123335 Art A1 8. Oktober 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009123335
Aktenzeichen: EP09728384
Anmeldetag: 30. März 2009
Veröffentlichung: 8. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L21/318H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von