Mocvd growth technique for planar semipolar (al, in, ga, b)n based light emitting diodes

WO2009124317 Art A2 8. Oktober 2009

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009124317
Aktenzeichen: EP09728710
Anmeldetag: 6. April 2009
Veröffentlichung: 8. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L21/02

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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