State machine sensing of memory cells

WO2009126205 Art A2 15. Oktober 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009126205
Aktenzeichen: EP09730929
Anmeldetag: 20. März 2009
Veröffentlichung: 15. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/26G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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