Non-volatile multi-level re-writable memory cell incorporating a diode in series with multiple resistors and method for writing same

WO2009126874 Art A2 15. Oktober 2009

Anmelder: SanDisk 3D, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009126874
Aktenzeichen: EP09729937
Anmeldetag: 10. April 2009
Veröffentlichung: 15. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04G11C11/36G11C16/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

308 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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