Antiferroelectric gate transistor and manufacturing method thereof, and non-volatile memory element

WO2009128133 Art A1 22. Oktober 2009

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009128133
Aktenzeichen: EP08740376
Anmeldetag: 14. April 2008
Veröffentlichung: 22. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/105H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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