Diamond semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2009128301 Art A1 22. Oktober 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009128301
Aktenzeichen: EP09731901
Anmeldetag: 6. März 2009
Veröffentlichung: 22. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/04C01B31/06C23C16/27H01L21/20H01L21/205H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von