Thin film transistor and method for manufacturing the same

WO2009128522 Art A1 22. Oktober 2009

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009128522
Aktenzeichen: EP09733125
Anmeldetag: 10. April 2009
Veröffentlichung: 22. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/205H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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