Metallized silicon substrate for indium gallium nitride light-emitting diode
WO2009129353
Art A1
22. Oktober 2009
Anmelder: Purdue Research Foundation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009129353
- Aktenzeichen
- EP09731894
- Anmeldetag
- 15. April 2009
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Purdue Research Foundation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Purdue Research Foundation
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