Semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2009131051 Art A1 29. Oktober 2009

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, Nec Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009131051
Aktenzeichen: EP09735303
Anmeldetag: 16. April 2009
Veröffentlichung: 29. Oktober 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/8238H01L27/092H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
Nec Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von