A field effect transistor and a method of manufacturing the same

WO2009133485 Art A1 5. November 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009133485
Aktenzeichen: EP09738498
Anmeldetag: 3. April 2009
Veröffentlichung: 5. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/49H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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