Method of forming a nanocluster-comprising dielectric layer and device comprising such a layer

WO2009133500 Art A1 5. November 2009

Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009133500
Aktenzeichen: EP09738513
Anmeldetag: 22. April 2009
Veröffentlichung: 5. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28C23C14/08C23C16/40H01L21/314H01L29/423H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Land: 🇹🇼 Taiwan

🇹🇼 Taiwan Semiconductor Manufacturing

Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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