Vertical Field Effect Transistor

WO2009133891 Art A1 5. November 2009

Anmelder: Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009133891
Aktenzeichen: EP09738828
Anmeldetag: 28. April 2009
Veröffentlichung: 5. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L29/12H01L29/78H01L51/05H01L51/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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