Nanoscale Wire-Based Memory Devices

WO2009134291 Art A2 5. November 2009

Anmelder: President and Fellows of Harvard College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009134291
Aktenzeichen: EP09739094
Anmeldetag: 21. Januar 2009
Veröffentlichung: 5. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: President and Fellows of Harvard College
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Harvard University

US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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