Capacitive divider sensing of memory cells

WO2009134318 Art A2 5. November 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009134318
Aktenzeichen: EP09739121
Anmeldetag: 15. April 2009
Veröffentlichung: 5. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/00G11C11/35G11C11/24

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von