Reduction Of Leakage Current in A Vertical Diode

WO2009134324 Art A1 5. November 2009

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009134324
Aktenzeichen: EP09739127
Anmeldetag: 17. April 2009
Veröffentlichung: 5. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/868H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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